Перечень методик, используемых ЦКП
|
№
|
Наименование методики
|
Наименование организации, аттестовавшей методику
|
Дата аттестации (число, месяц, год)
|
|---|---|---|---|
|
1
|
Спектральная эллипсометрия
|
|
-
|
|
2
|
Рентгеновская дифрактометрия
|
|
-
|
|
3
|
Профилометрия поверхности полупроводниковых структур
|
|
-
|
|
4
|
Оптическая спектроскопия (УФ – вид. диапазон) и рефлектометрия
|
|
-
|
|
5
|
ИК-Фурье спектрометрия
|
|
-
|
|
6
|
Измерение вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик полупроводниковых структур
|
|
-
|
|
7
|
Измерение электрофизических параметров полупроводниковых структур методом изучения эффекта Холла
|
|
-
|
|
8
|
Исследование S -, X - параметров приборных структур в полосе от 0,01 до 50 ГГц
|
|
-
|
|
9
|
Оптическая микроскопия
|
|
-
|
|
10
|
Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС)
|
|
-
|
|
11
|
Оже-электронная спектроскопия (ОЭС)
|
|
-
|
|
12
|
Растровая электронная микроскопия и определение локального элементного состава приповерхностных слоев методом рентгеновского энергодисперсионного микроанализа
|
|
-
|
|
13
|
Сканирующая зондовая микроскопия
|
|
-
|
|
14
|
Формирование и определение распределений нанокластеров металов по размерам и расстояниям
|
|
-
|
|
15
|
Измерение сопротивления слоев четырехзондовым методом
|
|
-
|
|
16
|
Молекулярно-лучевая эпитаксия
|
|
-
|
|
17
|
Эпитаксия из газовой фазы
|
|
-
|