Услуги

1. Отработка уникальных технологических операций формирования наногетероструктур соединений A^IIIВ^V, включая нитриды III группы, транзисторов и СВЧ МИС на их основе. В том числе:

   • получение наногетероструктур соединений A^IIIВ^V и A^IIIN методом молекулярно-лучевой эпитаксии;
   • электронно-лучевая нанолитография, лазерная литография и фотолитография;
   • металлизация.

2. Проведение комплексных исследований тонкопленочных структур и гетероструктур на основе соединений A^IIIВ^V, нитридов III группы и других широкозонных полупроводников, в том числе:

   • изучение топологии поверхности экспериментальных образцов методом сканирующей зондовой микроскопии;
   • исследование морфологии поверхности экспериментальных образцов методом растровой электронной микроскопии;
   • исследование тонких пленок методом ИК-Фурье спектрометрии;
   • исследование параметров тонкопленочных образцов методом спектральной эллипсометрии;
   • рентгеновская дифрактометрия.

3. Измерение электрофизических параметров полупроводниковых приборов и структур, в том числе:

   • исследование параметров экспериментальных образцов методом Холла;
   • измерение вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик приборных структур;
   • исследование S-, X-параметров приборных структур в полосе до 50 ГГц. 
4. Оптическая спектроскопия и микроскопия.

Перечень методик, используемых ЦКП