НИР и НИОКР

НИР «Развитие центром коллективного пользования научным оборудованием комплексных исследований в области технологии СВЧ-электроники, силовой, высокотемпературной и радиационно-стойкой электроники на основе наногетероструктур нитридов III группы и других широкозонных полупроводниковых материалов» (выполняется в рамках мероприятия 5.2, Государственный контракт № 16.552.11.7005 от 29 апреля 2011 г.)
НИОКР «Организация высокотехнологичного производства продукции микроэлектроники на КНД-структурах и микросистемной техники с элементами монолитных СВЧ интегральных схем для экстремальных условий эксплуатации» (Договор № 20-1350 от «27» августа 2010 г.);
НИОКР «Разработка конструкции и промышленной технологии изготовления твердотельных компонентов на широкозонном материале GaN» (Договор № 138/2010У от «10» августа 2010 г.);
НИР «Разработка технологии и изготовление транзисторных чипов на основе гетероструктур GaAs, обеспечивающих работу транзистора на частоте 10 ГГц с выходной мощностью 10 Вт» (Договор №00-3-401-2183 от 01.02.2010 г.);
НИОКР «Создание функционирующего в режиме удаленного доступа интерактивного учебно-научного комплекса для выполнения работ на автоэмиссионном растровом электронном микроскопе – нанолитографе высокого разрешения и его виртуальном симуляторе» (ГК 16.647.12.2023 от 24.11.2010 г.);
НИР «Разработка технологии и конструкции радиационно-стойких функциональных материалов на основе полупроводниковых наногетероструктур соединений А^IIIВ^V» (Государственный контракт № 02.740.11.0191 от 25.06.2009 г.);
НИОКР «Технологии создания многофункциональных металлооксидных и полимерных материалов с фотонной запрещенной зоной для перспективной оптической и оптоэлектронной техники» (ГК 9411.1003702.17.036 от 03.11.2009 г.) и др.;
СЧ ОКР «Разработка, изготовление и поставка усилительных модулей СВЧ средней и высокой мощности сантиметрового диапазона частот для использования в бортовой аппаратуре КА «Глонасс-К» (Договор от 01.03.2013 г. № 01/13 - 4);
НИР «Создание рельефной поверхности карбида кремния методом плазмохимического травления для увеличения коэффициента вывода света из светодиодного кристалла» (Государственный контракт от 21 июня 2013 г. № 14.513.11.0100);
НИР «Разработка технологи создания радиационно-стойких транзисторов мм-диапазона частот на основе наногетероструктур InAlAs/InGaAs» (Государственный контракт от 14.06.2012 г. № Н.4г.42.43.12.1105);
ОКР «Разработка опытно-промышленной технологии мощных светодиодных сборок «чип на плате», излучающих в УФ диапазоне, на основе высокоэффективных наногетероструктур нитридных полупроводниковых материалов» (Государственный контракт от «05» мая 2012 г. № 12.527.12.5002);
ОКР «Разработка технологии и организация опытного производства гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия на кремниевых подложках для изделий силовой микроэлектроники» (Государственный контракт от «05» июня 2012 г. № 16.523.12.3010);
НИР «Выполнение центром коллективного пользования научным оборудованием комплексных исследований в области физики широкозонных полупроводников и характеризации наноразмерных объектов» (Государственный контракт от «11» июля 2012 г. № 16.552.11.7084);
ОКР «Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур на основе карбида кремния и родственных широкозонных полупроводниковых материалов на нанопористых подложках кремния для приборов электроники, микро- и наносистемной техники» (Государственный контракт от «13» мая 2011 г. №16.523.12.3004);
ПНИ "Исследование тепловых свойств графеносодержащих пленок, а также разработка технологии их применения для отвода тепла, выделяющегося при работе СВЧ полупроводниковых приборов на основе GaN" (Соглашение о предоставлении субсидии №14.584.21.0001 от 22.08.2014 г.);
ПНИ "Разработка технологий получения эпитаксиальных широкозонных гетероструктур для нового поколения СВЧ- и силовых приборов" (Соглашение о предоставлении субсидии №14.578.21.0062 от 20.10.2014 г.);
ПНИ «Разработка кластерной технологии планаризации поверхности диэлектрических материалов (сапфир, кварцевое стекло) для создания нового поколения приборов и устройств для различных отраслей промышленности» (Соглашение о предоставлении субсидии №14.578.21.0064 от 20.10.2014 г.);
ПНИЭР «Разработка технологий и компонентов интегральной сверхвысокочастотной радиофотоники» (Соглашение о предоставлении субсидии №14.581.21.0026 от 03.10.2017 г.).