Ваш браузер безнадежно устарел, для работы с порталом его необходимо обновить или установить любой другой современный браузер.

Публикации

2011 г.

  1. Пономарев Д.С., Васильевский И.С. и др. Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs «Нано- и микросистемная техника» №12, 2011, с. 16-19.
  2. Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С. и др. Подвижность электронов в комбинированно-легированных транзисторных наногетероструктурах AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs c высокой концентрацией электронов: моделирование и эксперимент // Нано- и микросистемная техника» №12, 2011, с. 21–24.
 

2012 г.

  1. Каргин Н.И., Рыжук Р.В. и др. Разработка энергоэффективного светильника на основе наногетероструктур InGaN/GaN/AlGaN // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 1, 2012, с. 90-94.
  2. Kulbachinskii V.A., Vasil’evskii I.S. et al. Electron effective masses in an InGaAs quantum well with InAs and GaAs inserts // Semicond. Sci. Technol. 27 (2012) 035021
  3. Рыжук Р.В., Каргин Н.И., Стриханов М.Н. и др. Исследование влияния технологических режимов на величину удельного переходного сопротивления контактов к карбиду кремния // Ядерная физика и инжиниринг, 2012, том 3, №4, с. 380–384
  4. Пономарев Д.С., Васильевский И.С. и др. Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs // Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, вып. 4, c. 500–506.
  5. Хабибуллин Р.А., Васильевский И.С. и др. Увеличение подвижности электронов в комбинированно-легированных транзисторных наногетероструктурах AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs в случае многоподзонной проводимости // Ядерная физика и инжиниринг №2, 2012, c. 179–187.
 

2013 г.

  1. Султанов А.О., Каргин Н.И., Гусев А.С., Сафаралиев Г.К., Рындя С.М. Получение эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений на пористых подложках (обзор). // Известия вузов «Северо-Кавказский регион» (Технические науки), 2013, №2, c. 106–112.
  2. Каргин Н.И., Сафаралиев Г.К. и др. Кинетические особенности получения пленок твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x ионным распылением // Известия вузов. Северо-Кавказский регион. Технические науки, 2013, №6, с. 118–121.
  3. Ванюхин К.Д., Захарченко Р.В., Каргин Н.И. и др. Исследование структуры и морфологии поверхности двухслойной контактной металлизации Ti/Al // Материалы электронной техники, 2013, №3, с. 60–65.
  4. Гудков В.А., Каргин Н.И., Рыжук Р.В., Павлова Е.П. и др. Ионная компенсация диодных структур карбида кремния. // Вестник национального исследовательского ядерного университета «МИФИ», 2013, №4, с. 404–408.
  5. Сафаралиев Г.К., Каргин Н.И., Гусев А.С. и др. Особенности формирования потенциального барьера в структуре Ме/(SiC)1–x(AlN)x/SiC // Вестник национального исследовательского ядерного университета «МИФИ», 2013, том 2, №3, с. 273–276.
  6. Каргин Н.И., Сафаралиев Г.К., Рындя С.М. и др. Ударная ионизация в гетеропереходах n-SiC/p-(SiC)1-x(AlN)x. // Известия Вузов. Северо-Кавказский регион. (Технические науки), 2013, №4, с. 90-93.
  7. Каргин Н.И., Сафаралиев Г.К., Рындя С.М. и др. Вольт-фарадные характеристики гетероструктур n-SiC/p-(SiC)1-x(AlN)x // Известия Вузов. Северо-Кавказский регион (Технические науки), 2013, №5, с. 85–91.
  8. Васильевский И.С., Виниченко А.Н., Грехов М.М. и др.Влияние профиля состава квантовой ямы на электрофизические свойстваp-HEMT гетероструктур с двусторонним дельта-легированием // Вестник Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ», 2013, том 2, №3, с. 261–266.
  9. Васильевский И.С., Виниченко А.Н. и др. Особенности формирования ансамблей квантовых колец GaAs/AlGaAs и InGaAs/AlGaAs методом капельной эпитаксии // Вестник Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ», 2013, том 2, №3, с. 267–272.
  10. Гусев А.С., Рындя С.М., Каргин Н.И. и др. Исследование морфологии и структуры тонких пленок 3C–SiC на кремнии методами электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии. // Известия вузов. Материалы электронной техники, 2013, №2, с. 44–48.
 

2014 г.

  1. Каргин Н.И., Громов Д.В., Кузнецов А.Л. и др. Влияние облучения на приборные характеристики транзисторных структур на основе AlGaN/GaN // Вестник Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ», 2014, том 3, №1, с. 68–70.
  2. Сафаралиев Г.К., Каргин Н. И., Курбанов М.К. и др.Исследование влияния параметров режимов обработки на высоту потенциального барьера структуры Ме/(SiC)1–x(AlN)x // Вестник Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ», 2014, том 3, №1, с. 63–67.
  3. Рамазанов Ш.М., Курбанов М.К., Сафаралиев Г.К., Билалов Б.А., Каргин Н.И., Гусев А.С. Структурные свойства эпитаксиальных пленок твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x, полученных магнетронным распылением составных мишеней SiC с Al // Письма в ЖТФ, 2014, том 40, вып. 7, с. 49-55.
 

2015 г.

  1. Васильевский И.С., Виниченко А.Н., Грехов М.М., Каргин Н.И. рост и свойства высококачественных эпитаксиальных слоев N + InAs(Si) с сильным легированием для создания невплавных омических контактов // Нано- и микросистемная техника, 2015, №2, с. 3-8.
  2. Ю.Д. Сибирмовский, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко, И.С. Еремин, Н.И. Каргин, О.С. Коленцова. Самоорганизованные ансамбли наноструктур InxGa1-xAs/AlGaAs методом эпитаксии // Нано- и микросистемная техника, 2015, вып. 3, с. 24-30.
  3. Ю.Д. Сибирмовский, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко, И.С. Еремин, Д.М. Жигунов, Н.И. Каргин, О.С. Коленцова, П.А. Мартюк, М.Н. Стриханов. Фотолюминесценция массивов квантовых колец GaAs/AlGaAs // Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, вып. 5, с. 652-657.
 

2016 г.

  1. Захарченко Р.В., Шостаченко С.А., Рыжук Р.В., Каргин Н.И. Применение тонкопленочных резисторов для контроля температуры // Мокеровские чтения. 7-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 25 мая 2016, с. 119-120.
  2. С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко. Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах n-InGaAs/InAlAs // Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, вып. 12, с. 1669-1674.
  3. И.С. Васильевский, С.С. Пушкарев, М.М. Грехов, А.Н. Виниченко, Д.В. Лаврухин, О.С. Коленцова. Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме ω-сканирования// Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, вып. 4, с. 567-573.
 

2017 г.

  1. Н.И. Каргин, А.С. Гусев, С.М. Рындя, А.Д. Бакун, А.Е. Иешкин, А.А. Акованцева, П.И. Мисуркин, С.Г. Лакеев, И. Матющенко, С.Ф. Тимашев. Визуализация текстуры сверхгладких поверхностей с применением метода фликкер-шумовой спектроскопии // Научная визуализация, 2017, том 9, № 3, с. 28-41.
  2. Г.Б. Галиев, А.Н. Клочков, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, С.С. Пушкарев, А.Н. Виниченко, Р.А. Хабибуллин, П.П. Мальцев. Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP // Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, вып. 6, с. 792-797.
  3. S.V. Gudina, Yu.G. Arapov, A.P. Savelyev, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, K. Rogacki, I.S. Vasil'evskii, A.N. Vinichenko. Quantum Hall effect in n-InGaAs/InAlAs metamorphic nanoheterostructures with high InAs content // Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2017, vol. 440, pp. 10-12, DOI: 10.1016/j.jmmm.2016.12.111.
 

2018 г.

  1. N.R. Yunusova, N.I. Kargin, S.M. Ryndya, A.S. Gusev, S.V. Antonenko, A.A. Timofeev. Pulsed laser deposition of aluminum nitride nanowires // IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series 945 (2018) 012014.
  2. I.V. Altukhov, S.E. Dizhur, M.S. Kagan, N.A. Khvalkovskiy, S.K. Paprotskiy, I.S. Vasil’evskii, A.N. Vinichenko. Transport in Short-Period GaAs/AlAs Superlattices with Electric Domains // Semiconductors, 2018, vol. 52, № 4, pp. 473-477.
  3. Д.А. Сафонов, А.Н. Виниченко, Н.И. Каргин, И.С. Васильевский. Особенности ионизации доноров кремния и рассеяние электронов в псевдоморфных квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs при сильном одностороннем δ-легировании // Письма в ЖТФ, 2018, том 44, вып. 4, с. 34-41.
  4. С.А. Номоев, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко, К.И. Козловский, А.А. Чистяков, Е.Д. Мишина, Д.И. Хусяинов, А.М. Буряков. Влияние режима отжига терагерцовой фотопроводящей антенны на основе LT-GaAs // Письма в ЖТФ, 2018, том 44, вып. 2, с. 11-17.
  5. Д.А. Сафонов, А.Н. Виниченко, Н.И. Каргин, И.С. Васильевский. Электронный транспорт в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs РНЕМТ при различных температурах: влияние одностороннего дельта-легирования Si // Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, вып. 2, с. 201-206.

© 2026 Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»