Оборудование
Центр коллективного пользования располагает передовой линейкой научно-исследовательского и технологического оборудования, которое позволяет осуществлять полный комплекс исследований и разработок в области физики и технологии гетероструктурной электроники на основе соединений AIIIBV, нитридов III группы, карбида кремния. Оборудование ЦКП размещено в чистых помещениях класса ISO 8 – ISO 6, имеющих развитую инженерную инфраструктуру (системы фильтрации и кондиционирования воздуха, водоподготовки, обеспечения газами). Общая площадь производственных помещений Центра около 1000 м2.
Сведения о календарной загрузке научного оборудования
1
Наименование единицы оборудования:
Установка электронно-лучевой литографии
Марка: Raith 150-Two
Фирма-изготовитель, страна: Raith (Германия)
Год выпуска: 2008
Назначение, технические характеристики:
Установка электронно-лучевой нанолитографии на основе автоэмиссионного растрового электронного микроскопа Raith 150 TWO предназначена как для электронной растровой микроскопии высокого разрешения (не хуже 2-5 нм), так и для проведения нанолитографии с размерами получаемых элементов не хуже 15-20 нм.
Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.
2
Наименование единицы оборудования:
Установка контактной фотолитографии
Марка: MJB4
Фирма-изготовитель, страна: Suss Microtec (Германия)
Год выпуска: 2009
Назначение, технические характеристики:
Установка совмещения и экспонирования для контактной литографии базового уровня. Экспонирование высокого разрешения – до 0,5 микрон. Размер обработки пластин – до 100 мм. Специальные держатели для кусков пластин.
Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.
3
Наименование единицы оборудования:
Системы безмасковой лазерной литографии
Марка: DWL 66FS
Фирма-изготовитель, страна: Heidelberg Instruments (Германия)
Год выпуска: 2009
Назначение, технические характеристики:
Система лазерной литографии. Минимальный топологический размер до 0,6 мкм; дискретность адресной сетки до 25,4 нм; скорость экспонирования для области 100×100 мм – до 416 мм2/мин.
Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.
4
Наименование единицы оборудования:
Установка нанесения и сушки фоторезиста
Марка: SM-180
Фирма-изготовитель, страна: Sawatec AG (Швейцария)
Год выпуска: 2008
Назначение, технические характеристики:
Предназначена для нанесения резистов на пластины путем вращения центрифуги со скоростью до 10000 об/мин.
Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.
5
Наименование единицы оборудования:
Установка плазмохимического реактивного ионного травления
Марка: SPTS LPX ICP
Фирма-изготовитель, страна: SPTS (Великобритания)
Год выпуска: 2010
Назначение, технические характеристики:
Установка предназначена для проведения реактивного ионного травления многослойных гетероструктур нитридов алюминия-галлия–индия на подложках лейкосапфира или карбида кремния. Травления сквозных отверстий в подложках фосфида индия и арсенида галлия.
Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.
6
Наименование единицы оборудования:
Установка для плазмохимического осаждения из газовой фазы
Марка: LPX PECVD
Фирма-изготовитель, страна: SPTS (Великобритания)
Год выпуска: 2009
Назначение, технические характеристики:
Осаждение SiNx, SiO2 из газовой фазы на подложки с использованием плазменного разложения реакционного газа.
Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.
7
Наименование единицы оборудования:
Установка для термического вакуумного напыления
Марка: РVD-75
Фирма-изготовитель, страна: Kurt J. Lesker (США)
Год выпуска: 2009
Назначение, технические характеристики:
Напыление тонких пленок металлов в условиях высокого вакуума. Установки обладают широкими возможностями для получения покрытий из большинства применяемых в технологии микроэлектроники металлов (Ni, Ti, Al, Pt, Pd, V, Ta, Ge, Au, Cr, Cu) методами термического вакуумного, магнетронного и электронно-лучевого испарения.
Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.
8
Наименование единицы оборудования:
Установка для электронно-лучевого напыления
Марка: РVD-250
Фирма-изготовитель, страна: Kurt J. Lesker (США)
Год выпуска: 2009
Назначение, технические характеристики:
Напыление тонких пленок металлов в условиях высокого вакуума. Установки обладают широкими возможностями для получения покрытий из большинства применяемых в технологии микроэлектроники металлов (Ni, Ti, Al, Pt, Pd, V, Ta, Ge, Au, Cr, Cu) методами термического вакуумного, магнетронного и электронно-лучевого испарения.
Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.
9
Наименование единицы оборудования:
Установка быстрого термического отжига
Марка: RTP-600S
Фирма-изготовитель, страна: Modular Process Technology (США)
Год выпуска: 2009
Назначение, технические характеристики:
Быстрый термический отжиг, высокотемпературный постимплантационный отжиг, отжиг металлических контактов и пленок, получение оксидных пленок. Поддерживаемый размер пластин: 2–6 дюймов. Рабочий диапазон температур: 250–1300°С. Точность поддержания температуры: ±2°С. Скорость изменения температуры: 1–200°С/сек.
Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.
10
Наименование единицы оборудования:
Комплекс измерений S-, X-параметров в полосе от 0,01 до 50 ГГц
Марка: N5247A PNA-X
Фирма-изготовитель, страна: Agilent Technologies (США)
Год выпуска: 2010
Назначение, технические характеристики:
Измерительный комплекс на базе установок фирмы «Agilent» и зондовых станций «Cascade Microtech» предназначен для точного изменения статических ВАХ и сверхвысокочастотных S-параметров приборных структур непосредственно на пластине до разделения на кристаллы.
Сведения о метрологическом обеспечении:
Свидетельство N5241A-44A-45A, Свидетельство N5245A
11
Наименование единицы оборудования:
Анализатор полупроводниковых устройств
Марка: B 1500 A
Фирма-изготовитель, страна: Agilent Technologies (США)
Год выпуска: 2010
Назначение, технические характеристики:
Измерительный комплекс на базе установок фирмы «Agilent» и зондовых станций «Cascade Microtech» предназначен для точного изменения статических ВАХ и сверхвысокочастотных S-параметров приборных структур непосредственно на пластине до разделения на кристаллы.
Сведения о метрологическом обеспечении:
Свидетельство B1500A
12
Наименование единицы оборудования:
Установка для исследования эффекта Холла и электросопротивления
Марка: HMS-5000
Фирма-изготовитель, страна: Ecopia Corp. (Республика Корея)
Год выпуска: 2010
Назначение, технические характеристики:
Измеряемые параметры: объемная и слоевая концентрация носителей заряда; удельное сопротивление; подвижность, коэффициент Холла; магнетосопротивление.
13
Наименование единицы оборудования:
Спектроскопический эллипсометр
Марка: PHE-102
Фирма-изготовитель, страна: Angstrom Advanced (США)
Год выпуска: 2009
Назначение, технические характеристики:
Мощный и универсальный эллипсометр для проведения исследований широкого круга материалов: диэлектрики, полимеры, полупроводники, металлы, многослойные структуры. Позволяет работать в широком диапазоне длин волн (250-1100 нм) с высоким спектральным разрешением.
14
Наименование единицы оборудования:
Спектрометрический комплекс на основе монохроматора МДР-41
Фирма-изготовитель, страна: ЛОМО (Россия)
Год выпуска: 2009
Назначение, технические характеристики:
Спектрометрический комплекс предназначен для регистрации спектральных характеристик источников излучения и фотоприемников, измерения спектров пропускания, зеркального и диффузного рассеяния, регистрации спектров фото- и электролюминесценции экспериментальных образцов в диапазоне длин волн от 250 до 1200 нм.
15
Наименование единицы оборудования:
ИК-Фурье спектрометр
Марка: FTIR-8400S
Фирма-изготовитель, страна: Shimadzu (Япония)
Год выпуска: 2008
Назначение, технические характеристики:
Определение характеристик экспериментальных образцов по форме их спектров в инфракрасной области. Спектральный диапазон: 7800–350 см-1. Разрешение: 0,85 см-1. Соотношение сигнал/шум – 20000:1.
Сведения о метрологическом обеспечении:
Свидетельство FTIR
16
Наименование единицы оборудования:
Рентгеновский дифрактометр
Марка: Ultima IV
Фирма-изготовитель, страна: Rigaku (Япония)
Год выпуска: 2010
Назначение, технические характеристики:
Фазовый анализ, степень кристалличности, размер кристаллитов, анализ остаточных напряжений, прецизионные измерения параметров решетки, оценка толщины пленки (рефлектометрия), текстурный анализ (ориентация зерен, подложки), качество интерфейса.
Сведения о метрологическом обеспечении:
Свидетельство Rigaku
17
Наименование единицы оборудования:
Установка молекулярно-лучевой эпитаксии
Марка: GEN-930
Фирма-изготовитель, страна: Veeco (США)
Год выпуска: 2011
Назначение, технические характеристики:
Установка предназначена для получения HEMT-наногетероструктур Al(In)GaN/GaN на подложках Al2O3, SiC, Si диаметром 2 или 3 дюйма.
Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.
18
Наименование единицы оборудования:
Установка эпитаксии из газовой фазы
Марка: Epic CVD
Фирма-изготовитель, страна: SMI (США)
Год выпуска: 2011
Назначение, технические характеристики:
Установка EPIC CVD предназначена для эпитаксиального роста пленок карбида кремния на подложках диаметром 3 дюйма методом химического осаждения из газовой фазы.
Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.
19
Наименование единицы оборудования:
Спектро-скопический эллипсометр
Марка: SE 850
Фирма-изготовитель, страна: Sentech (Германия)
Год выпуска: 2012
Назначение, технические характеристики:
Мощный и универсальный эллипсометр для проведения исследований широкого круга материалов: диэлектрики, полимеры, полупроводники, металлы, многослойные структуры. Он позволяет работать в широком диапазоне длин волн (250-1700 нм) с высоким спектральным разрешением.
20
Наименование единицы оборудования:
Система измерения сопротивления напылённых слоев
Марка: RMS-EL-Z
Фирма-изготовитель, страна: Jandel Engineering (Великобритания)
Год выпуска: 2012
Назначение, технические характеристики:
Система измерения сопротивления образцов полупроводников четырехзондовым методом. Диапазон изменения тока: 10 нА - 99,99 мА, имеется возможность переключения направления тока для проверки омичности контактов. Точность измерений: 0,3% по всему диапазону, 0,1% в середине диапазона.
21
Наименование единицы оборудования:
Установка плазменного травления, плазменной очистки и активации поверхности
Марка: NANO-UHP
Фирма-изготовитель, страна: Diener Electronic (Германия)
Год выпуска: 2012
Назначение, технические характеристики:
Установка плазменной обработки предназначена для очистки, активации, травления поверхностей полупроводниковых пластин и осаждения слоев за счет полимеризации в плазме.
Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.
22
Наименование единицы оборудования:
Система измерения эффекта Холла
Марка: HMS-3000
Фирма-изготовитель, страна: Ecopia Corp. (Республика Корея)
Год выпуска: 2012
Назначение, технические характеристики:
Измеряемые параметры: объемная и слоевая концентрация носителей заряда; удельное сопротивление; подвижность, коэффициент Холла; магнетосопротивление.
23
Наименование единицы оборудования:
Потенциостат-гальваностат P-30S
Марка: P-30S
Фирма-изготовитель, страна: Elins (Россия)
Год выпуска: 2012
Назначение, технические характеристики:
Предназначен для электрохимических жидкостных и твердотельных систем при токах до 2 А и поляризующих напряжениях до 15 В.
Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.
24
Наименование единицы оборудования:
Аппарат для нанесения гальванических покрытий
Марка: PGG 10/1,5
Фирма-изготовитель, страна: Heimerle (Германия)
Год выпуска: 2012
Назначение, технические характеристики:
Предназначен для нанесения золотых, родиевых, серебряных покрытий, а так же для меднения, никелирования металлических поверхностей за один цикл, как единичных, так и партий изделий.
Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.
25
Наименование единицы оборудования:
Сверхвысоковакуумный комплекс анализа поверхности
Марка: Multiprobe MXPS
Фирма-изготовитель, страна: Omicron NanoTechnology (Германия)
Год выпуска: 2008
Назначение, технические характеристики:
Предназначен для исследования морфологии поверхности методом АСМ; исследования морфологии поверхности методом СТМ; исследования электронной структуры поверхности методом сканирующей туннельной спектроскопии (СТС); исследование элементного и химического состава методом РФЭС; исследования элементного и химического состава методом Оже-электронной спектроскопии.
26
Наименование единицы оборудования:
Тестер проводниковых приборов
Марка: Formula-ТТ
Фирма-изготовитель, страна: ФОРМ (Россия)
Год выпуска: 2012
Назначение, технические характеристики:
Тестер полупроводниковых приборов FORMULA TT обеспечивает контроль и измерения статических параметров полупроводниковых приборов в диапазонах от 0,1 до 2000 В и от 50 нА до 10 А, а также снятие вольтамперных характеристик как на пластине так и в корпусе.
Сведения о метрологическом обеспечении:
Свидетельство FTT, Свидетельство Formula TT
27
Наименование единицы оборудования:
Сканирующий зондовый микроскоп
Марка: Solver Next
Фирма-изготовитель: НТ-МДТ
Год выпуска: 2011
Назначение, технические характеристики:
Полностью автоматизированный АСМ/СТМ для научных исследований: АСМ (контактная, амплитудно-модуляционная), СТМ (микроскопия, спектроскопия, литография).
Сведения о метрологическом обеспечении:
Свидетельство NEXT TITANIUM
28
Наименование единицы оборудования:
Растровый электронный микроскоп с приставкой прецизионного ионного травления
Марка: LYRA3 SEM-FIB
Фирма-изготовитель: TESCAN
Год выпуска: 2014
Назначение, технические характеристики:
Сканирующий электронный микроскоп с интегрированной ионной колонной (SEM-FIB) представляет собой высококачественную систему для визуализации и анализа поверхности образцов с возможностью обработки и модификации поверхности образца с фокусированным ионным пучком галлия. Разрешение: 1,2 нм при 30 кВ; 2,5 нм при 3 кВ. Увеличение: 1–1000000х при 30 кВ.
Сведения о метрологическом обеспечении:
Свидетельство SEM-FIB
29
Наименование единицы оборудования:
Установка лазерной абляции PLD-2000 MBE
Марка: PLD-2000 MBE
Фирма-изготовитель, страна: PVD Products (США)
Год выпуска: 2009
Назначение, технические характеристики:
Диаметр подложки: 50 мм. Температура подложки: 950°С (в атмосфере кислорода) – для непрозрачных материалов; 850°С – для прозрачных материалов. Равномерность прогрева: ±6°С по всей площади подложки. Рабочий диапазон давлений: 5•10-8...0,5 Торр. Количество мишеней: 6 мишеней Ø 50 мм. Лазер: СОМРех Pro 110 Excimer Laser, 248 нм. Номинальный угол падения луча на мишень: 60°.
Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.