План работы ЦКП
Загрузка на I квартал 2025 г.
В соответствии с Регламентом доступа к оборудованию ЦКП НИЯУ МИФИ на основе заявок, принятых к исполнению, сформирован план работы ЦКП НИЯУ МИФИ, содержащий информацию о текущей загрузке оборудования.
|
№
|
Наименование единицы оборудования
|
Наименование работы/услуги
|
Даты
|
Загрузка оборудования, %
|
|---|---|---|---|---|
|
1
|
Автоэмиссионный растровый электронный микроскоп с блоком нанолитографии Raith 150 TWO (Raith, Германия)
|
Исследование морфологии поверхности экспериментальных образцов методом растровой микроскопии
|
Январь – апрель 2025 г.
|
50
|
|
2
|
Установка контактной литографии микросхем Suss MJB4 (SUSS MicroTec)
|
Проведение процесса фотолитографии
|
Январь – апрель 2025 г.
|
75
|
|
3
|
Система безмасковой лазерной литографии DWL 66FS (Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH)
|
Проведение процесса безмасковой лазерной литографии
|
Январь – апрель 2025 г.
|
30
|
|
4
|
Комбинированная система нанесения и задубливания резиста Sawatec SM180 НР150 (Sawatec, Швейцария)
|
Проведение процесса нанесения и задубливания резиста
|
Январь – апрель 2025 г.
|
35
|
|
5
|
Установка плазмохимического реактивно-ионного травления SPTS LPX ICP (SPP Process Technology Systems)
|
Проведение процесса плазмохимического травления
|
Январь – апрель 2025 г.
|
45
|
|
6
|
Установка для плазмохимического осаждения из газовой фазы LPX PECVD (SPP Process Technology Systems)
|
-
|
Январь – апрель 2025 г.
|
20
|
|
7
|
Установка для термического напыления РVD-75 (Kurt J. Lesker Company)
|
Нанесение контактов к полупроводниковым гетероструктурам
|
Январь – апрель 2025 г.
|
40
|
|
8
|
Системы электро-лучевого напыления тонких пленок PVD 250 (Kurt J. Lesker Company)
|
Нанесение контактов к полупроводниковым гетероструктурам
|
Январь – апрель 2025 г.
|
30
|
|
9
|
Установка быстрого термического отжига Modular RTP600S (Modular Process Technology Corp
|
Быстрый термический отжиг контактов к полупроводниковым гетероструктурам
|
Январь – апрель 2025 г.
|
30
|
|
10
|
Комплекс измерений S-, X- параметров PNA-X N 5245A в полосе от 0,01 до 50 ГГц (Agilent Technologies)
|
Измерение S-, X- параметров экспериментальных образцов
|
Январь – апрель 2025 г.
|
43
|
|
11
|
Измерительный комплекс полупроводниковых структур B1500A (Agilent Technologies)
|
Измерение вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик
|
Январь – апрель 2025 г.
|
33
|
|
12
|
Установка для исследования эффекта Холла HMS-5000 (Ecopia)
|
Измерение электрофизических параметров полупроводниковых структур
|
Январь – апрель 2025 г.
|
40
|
|
13
|
Спектроскопический эллипсометр PHE-102 (Angstrom Advanced Inc.)
|
Исследование экспериментальных образцов методом спектральной эллипсометрии
|
Январь – апрель 2025 г.
|
35
|
|
14
|
Спектрометрический комплекс на основе монохроматора МДР-41 (ЛОМО)
|
Исследование спектральных характеристик экспериментальных образцов
|
Январь – апрель 2025 г.
|
20
|
|
15
|
Инфракрасный Фурье спектрометр FTIR-8400S (Shimadzu)
|
Измерение спектров пропускания в УФ-видимом диапазоне
|
Январь – апрель 2025 г.
|
50
|
|
16
|
Рентгеновский дифрактометр Ultima IV (Rigaku)
|
Исследование экспериментальных образцов методом рентгеновской дифрактометрии
|
Январь – апрель 2025 г.
|
45
|
|
17
|
Установка молекулярно-лучевой эпитаксии GEN-930 (Veeco)
|
Получение наногетерострукр методом молекулярно-лучевой эпитаксии
|
Январь – апрель 2025 г.
|
30
|
|
18
|
Установка эпитаксии из газовой фазы Epic CVD (SMI)
|
Получение эпитаксиальных слоев карбида кремния методом эпитаксии из газовой фазы
|
Январь – апрель 2025 г.
|
40
|
|
19
|
Спектроскопический эллипсометр SE850 (SENTCH)
|
Исследование экспериментальных образцов методом спектральной эллипсометрии
|
Январь – апрель 2025 г.
|
35
|
|
20
|
Система измерения удельного поверхностного сопротивления напылённых слоев RMS-EL-Z (Jandel Engineering)
|
Измерение удельного сопротивления слоев
|
Январь – апрель 2025 г.
|
40
|
|
21
|
Установка плазменного травления, плазменной очистки и активации поверхности NANOUHP (Diener Electronic GmbH)
|
Плазменное травление и очистка поверхности
|
Январь – апрель 2025 г.
|
40
|
|
22
|
Система измерения эффекта Холла HMS-3000 (Ecopia)
|
Измерение электрофизических параметров полупроводниковых структур
|
Январь – апрель 2025 г.
|
40
|
|
23
|
Потенциостат-гальваностат P-30S (Elins)
|
Металлизация гальваническим методом
|
Январь – апрель 2025 г.
|
10
|
|
24
|
Аппарат для нанесения гальванических покрытий PGG 10/1,5 (Heimerle)
|
Металлизация гальваническим методом
|
Январь – апрель 2025 г.
|
10
|
|
25
|
Сверхвысоковакуумная система анализа поверхности Multiprobe MXPS (Omicron) с источником осаждения нанокластеров Nanogen-50 и квадрупольным масс-фильтром MesoQ (Mantis Deposition Ltd., Великобритания)
|
Формирование in situ и исследование систем нанокластеров металлов
|
Январь – апрель 2025 г.
|
30
|
|
26
|
Сканирующий зондовый микроскоп «СОЛВЕР НЕКСТ» (НТ-МДТ)
|
Исследование поверхности экспериментальных образцов методом атомно-силовой микроскопии
|
Январь – апрель 2025 г.
|
50
|
|
27
|
Растровый электронный микроскоп с приставкой прецизионного ионного травления
|
Исследование методом растровой электронной микроскопии морфологии поверхности
|
Январь – апрель 2025 г.
|
45
|
|
28
|
Сканирующий зондовый микроскоп Solver Open
|
Исследование поверхности экспериментальных образцов методом атомно-силовой микроскопии
|
Январь – апрель 2025 г.
|
50
|
|
29
|
Спектрофотометр Shimadzu UV-2600
|
Измерение спектров пропускания в УФ-видимом диапазоне
|
Январь – апрель 2025 г.
|
40
|
|
30
|
Установка реактивного ионного травления Арех SLR
|
Проведение процесса плазмохимического травления
|
Январь – апрель 2025 г.
|
45
|
|
31
|
Установка электронной литографии сверхвысокого разрешения CABL-9500C
|
Проведение процесса электронно-лучевой нанолитографии
|
Январь – апрель 2025 г.
|
50
|