Услуги

  1. Отработка уникальных технологических операций формирования наногетероструктур соединений AIIIВV, включая нитриды III группы, транзисторов и СВЧ МИС на их основе. В том числе:

    • получение наногетероструктур соединений AIIIВV и AIIIN методом молекулярно-лучевой эпитаксии;
    • электронно-лучевая нанолитография, лазерная литография и фотолитография;
    • металлизация.
  2. Проведение комплексных исследований тонкопленочных структур и гетероструктур на основе соединений AIIIВV, нитридов III группы и других широкозонных полупроводников, в том числе:

    • изучение топологии поверхности экспериментальных образцов методом сканирующей зондовой микроскопии;
    • исследование морфологии поверхности экспериментальных образцов методом растровой электронной микроскопии;
    • исследование тонких пленок методом ИК-Фурье спектрометрии;
    • исследование параметров тонкопленочных образцов методом спектральной эллипсометрии;
    • рентгеновская дифрактометрия.
  3. Измерение электрофизических параметров полупроводниковых приборов и структур, в том числе:

    • исследование параметров экспериментальных образцов методом Холла;
    • измерение вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик приборных структур;
    • исследование S-, X-параметров приборных структур в полосе до 50 ГГц. 
  4. Оптическая спектроскопия и микроскопия.

© 2018 Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»