Оборудование

Центр коллективного пользования располагает передовой линейкой научно-исследовательского и технологического оборудования, которое позволяет осуществлять полный комплекс исследований и разработок в области физики и технологии гетероструктурной электроники на основе соединений AIIIBV, нитридов III группы, карбида кремния. Оборудование ЦКП размещено в чистых помещениях класса ISO 8 – ISO 6, имеющих развитую инженерную инфраструктуру (системы фильтрации и кондиционирования воздуха, водоподготовки, обеспечения газами). Общая площадь производственных помещений Центра около 1000 м2.

 

1

Наименование единицы оборудования:
Установка электронно-лучевой литографии

Марка: Raith 150-Two

Фирма-изготовитель, страна: Raith (Германия)

Год выпуска: 2008

Назначение, технические характеристики:
Установка электронно-лучевой нанолитографии на основе автоэмиссионного растрового электронного микроскопа Raith 150 TWO предназначена как для электронной растровой микроскопии высокого разрешения (не хуже 2-5 нм), так и для проведения нанолитографии с размерами получаемых элементов не хуже 15-20 нм.

Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.

2

Наименование единицы оборудования:
Установка контактной фотолитографии

Марка: MJB4

Фирма-изготовитель, страна: Suss Microtec (Германия)

Год выпуска: 2009

Назначение, технические характеристики:
Установка совмещения и экспонирования для контактной литографии базового уровня. Экспонирование высокого разрешения – до 0,5 микрон. Размер обработки пластин – до 100 мм. Специальные держатели для кусков пластин.

Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.

3

Наименование единицы оборудования:
Системы безмасковой лазерной литографии

Марка: DWL 66FS

Фирма-изготовитель, страна: Heidelberg Instruments (Германия)

Год выпуска: 2009

Назначение, технические характеристики:
Система лазерной литографии. Минимальный топологический размер до 0,6 мкм; дискретность адресной сетки до 25,4 нм; скорость экспонирования для области 100×100 мм – до 416 мм2/мин.

Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.

4

Наименование единицы оборудования:
Установка нанесения и сушки фоторезиста

Марка: SM-180

Фирма-изготовитель, страна: Sawatec AG (Швейцария)

Год выпуска: 2008

Назначение, технические характеристики:
Предназначена для нанесения резистов на пластины путем вращения центрифуги со скоростью до 10000 об/мин.

Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.

5

Наименование единицы оборудования:
Установка плазмохимического реактивного ионного травления

Марка: SPTS LPX ICP

Фирма-изготовитель, страна: SPTS (Великобритания)

Год выпуска: 2010

Назначение, технические характеристики:
Установка предназначена для проведения реактивного ионного травления многослойных гетероструктур нитридов алюминия-галлия–индия на подложках лейкосапфира или карбида кремния. Травления сквозных отверстий в подложках фосфида индия и арсенида галлия.

Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.

6

Наименование единицы оборудования:
Установка для плазмохимического осаждения из газовой фазы

Марка: LPX PECVD

Фирма-изготовитель, страна: SPTS (Великобритания)

Год выпуска: 2009

Назначение, технические характеристики:
Осаждение SiNx, SiO2 из газовой фазы на подложки с использованием плазменного разложения реакционного газа.

Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.

7

Наименование единицы оборудования:
Установка для термического вакуумного напыления

Марка: РVD-75

Фирма-изготовитель, страна: Kurt J. Lesker (США)

Год выпуска: 2009

Назначение, технические характеристики:
Напыление тонких пленок металлов в условиях высокого вакуума. Установки обладают широкими возможностями для получения покрытий из большинства применяемых в технологии микроэлектроники металлов (Ni, Ti, Al, Pt, Pd, V, Ta, Ge, Au, Cr, Cu) методами термического вакуумного, магнетронного и электронно-лучевого испарения.

Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.

8

Наименование единицы оборудования:
Установка для электронно-лучевого напыления

Марка: РVD-250

Фирма-изготовитель, страна: Kurt J. Lesker (США)

Год выпуска: 2009

Назначение, технические характеристики:
Напыление тонких пленок металлов в условиях высокого вакуума. Установки обладают широкими возможностями для получения покрытий из большинства применяемых в технологии микроэлектроники металлов (Ni, Ti, Al, Pt, Pd, V, Ta, Ge, Au, Cr, Cu) методами термического вакуумного, магнетронного и электронно-лучевого испарения.

Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.

9

Наименование единицы оборудования:
Установка быстрого термического отжига

Марка: RTP-600S

Фирма-изготовитель, страна: Modular Process Technology (США)

Год выпуска: 2009

Назначение, технические характеристики:
Быстрый термический отжиг, высокотемпературный постимплантационный отжиг, отжиг металлических контактов и пленок, получение оксидных пленок. Поддерживаемый размер пластин: 2–6 дюймов. Рабочий диапазон температур: 250–1300°С. Точность поддержания температуры: ±2°С. Скорость изменения температуры: 1–200°С/сек.

Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.

10

Наименование единицы оборудования:
Комплекс измерений S-, X-параметров в полосе от 0,01 до 50 ГГц

Марка: N5247A PNA-X

Фирма-изготовитель, страна: Agilent Technologies (США)

Год выпуска: 2010

Назначение, технические характеристики:
Измерительный комплекс на базе установок фирмы «Agilent» и зондовых станций «Cascade Microtech» предназначен для точного изменения статических ВАХ и сверхвысокочастотных S-параметров приборных структур непосредственно на пластине до разделения на кристаллы.

Сведения о метрологическом обеспечении:
Свидетельство N5241A-44A-45A, Свидетельство N5245A

11

Наименование единицы оборудования:
Анализатор полупроводниковых устройств

Марка: B 1500 A

Фирма-изготовитель, страна: Agilent Technologies (США)

Год выпуска: 2010

Назначение, технические характеристики:
Измерительный комплекс на базе установок фирмы «Agilent» и зондовых станций «Cascade Microtech» предназначен для точного изменения статических ВАХ и сверхвысокочастотных S-параметров приборных структур непосредственно на пластине до разделения на кристаллы.

Сведения о метрологическом обеспечении:
Свидетельство B1500A

12

Наименование единицы оборудования:
Установка для исследования эффекта Холла и электросопротивления

Марка: HMS-5000

Фирма-изготовитель, страна: Ecopia Corp. (Республика Корея)

Год выпуска: 2010

Назначение, технические характеристики:
Измеряемые параметры: объемная и слоевая концентрация носителей заряда; удельное сопротивление; подвижность, коэффициент Холла; магнетосопротивление.

13

Наименование единицы оборудования:
Спектроскопический эллипсометр

Марка: PHE-102

Фирма-изготовитель, страна: Angstrom Advanced (США)

Год выпуска: 2009

Назначение, технические характеристики:
Мощный и универсальный эллипсометр для проведения исследований широкого круга материалов: диэлектрики, полимеры, полупроводники, металлы, многослойные структуры. Позволяет работать в широком диапазоне длин волн (250-1100 нм) с высоким спектральным разрешением.

14

Наименование единицы оборудования:
Спектрометрический комплекс на основе монохроматора МДР-41

Фирма-изготовитель, страна: ЛОМО (Россия)

Год выпуска: 2009

Назначение, технические характеристики:
Спектрометрический комплекс предназначен для регистрации спектральных характеристик источников излучения и фотоприемников, измерения спектров пропускания, зеркального и диффузного рассеяния, регистрации спектров фото- и электролюминесценции экспериментальных образцов в диапазоне длин волн от 250 до 1200 нм.

15

Наименование единицы оборудования:
ИК-Фурье спектрометр

Марка: FTIR-8400S

Фирма-изготовитель, страна: Shimadzu (Япония)

Год выпуска: 2008

Назначение, технические характеристики:
Определение характеристик экспериментальных образцов по форме их спектров в инфракрасной области. Спектральный диапазон: 7800–350 см-1. Разрешение: 0,85 см-1. Соотношение сигнал/шум – 20000:1.

Сведения о метрологическом обеспечении:
Свидетельство FTIR

16

Наименование единицы оборудования:
Рентгеновский дифрактометр

Марка: Ultima IV

Фирма-изготовитель, страна: Rigaku (Япония)

Год выпуска: 2010

Назначение, технические характеристики:
Фазовый анализ, степень кристалличности, размер кристаллитов, анализ остаточных напряжений, прецизионные измерения параметров решетки, оценка толщины пленки (рефлектометрия), текстурный анализ (ориентация зерен, подложки), качество интерфейса.

Сведения о метрологическом обеспечении:
Свидетельство Rigaku

17

Наименование единицы оборудования:
Установка молекулярно-лучевой эпитаксии

Марка: GEN-930

Фирма-изготовитель, страна: Veeco (США)

Год выпуска: 2011

Назначение, технические характеристики:
Установка предназначена для получения HEMT-наногетероструктур Al(In)GaN/GaN на подложках Al2O3, SiC, Si диаметром 2 или 3 дюйма.

Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.

18

Наименование единицы оборудования:
Установка эпитаксии из газовой фазы

Марка: Epic CVD

Фирма-изготовитель, страна: SMI (США)

Год выпуска: 2011

Назначение, технические характеристики:
Установка EPIC CVD предназначена для эпитаксиального роста пленок карбида кремния на подложках диаметром 3 дюйма методом химического осаждения из газовой фазы.

Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.

19

Наименование единицы оборудования:
Спектро-скопический эллипсометр

Марка: SE 850

Фирма-изготовитель, страна: Sentech (Германия)

Год выпуска: 2012

Назначение, технические характеристики:
Мощный и универсальный эллипсометр для проведения исследований широкого круга материалов: диэлектрики, полимеры, полупроводники, металлы, многослойные структуры. Он позволяет работать в широком диапазоне длин волн (250-1700 нм) с высоким спектральным разрешением.

20

Наименование единицы оборудования:
Система измерения сопротивления напылённых слоев

Марка: RMS-EL-Z

Фирма-изготовитель, страна: Jandel Engineering (Великобритания)

Год выпуска: 2012

Назначение, технические характеристики:
Система измерения сопротивления образцов полупроводников четырехзондовым методом. Диапазон изменения тока: 10 нА - 99,99 мА, имеется возможность переключения направления тока для проверки омичности контактов. Точность измерений: 0,3% по всему диапазону, 0,1% в середине диапазона.

21

Наименование единицы оборудования:
Установка плазменного травления, плазменной очистки и активации поверхности

Марка: NANO-UHP

Фирма-изготовитель, страна: Diener Electronic (Германия)

Год выпуска: 2012

Назначение, технические характеристики:
Установка плазменной обработки предназначена для очистки, активации, травления поверхностей полупроводниковых пластин и осаждения слоев за счет полимеризации в плазме.

Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.

22

Наименование единицы оборудования:
Система измерения эффекта Холла

Марка: HMS-3000

Фирма-изготовитель, страна: Ecopia Corp. (Республика Корея)

Год выпуска: 2012

Назначение, технические характеристики:
Измеряемые параметры: объемная и слоевая концентрация носителей заряда; удельное сопротивление; подвижность, коэффициент Холла; магнетосопротивление.

23

Наименование единицы оборудования:
Потенциостат-гальваностат P-30S

Марка: P-30S

Фирма-изготовитель, страна: Elins (Россия)

Год выпуска: 2012

Назначение, технические характеристики:
Предназначен для электрохимических жидкостных и твердотельных систем при токах до 2 А и поляризующих напряжениях до 15 В.

Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.

24

Наименование единицы оборудования:
Аппарат для нанесения гальванических покрытий

Марка: PGG 10/1,5

Фирма-изготовитель, страна: Heimerle (Германия)

Год выпуска: 2012

Назначение, технические характеристики:
Предназначен для нанесения золотых, родиевых, серебряных покрытий, а так же для меднения, никелирования металлических поверхностей за один цикл, как единичных, так и партий изделий.

Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.

25

Наименование единицы оборудования:
Сверхвысоковакуумный комплекс анализа поверхности

Марка: Multiprobe MXPS

Фирма-изготовитель, страна: Omicron NanoTechnology (Германия)

Год выпуска: 2008

Назначение, технические характеристики:
Предназначен для исследования морфологии поверхности методом АСМ; исследования морфологии поверхности методом СТМ; исследования электронной структуры поверхности методом сканирующей туннельной спектроскопии (СТС); исследование элементного и химического состава методом РФЭС; исследования элементного и химического состава методом Оже-электронной спектроскопии.

26

Наименование единицы оборудования:
Тестер проводниковых приборов

Марка: Formula-ТТ

Фирма-изготовитель, страна: ФОРМ (Россия)

Год выпуска: 2012

Назначение, технические характеристики:
Тестер полупроводниковых приборов FORMULA TT обеспечивает контроль и измерения статических параметров полупроводниковых приборов в диапазонах от 0,1 до 2000 В и от 50 нА до 10 А, а также снятие вольтамперных характеристик как на пластине так и в корпусе.

Сведения о метрологическом обеспечении:
Свидетельство FTT, Свидетельство Formula TT

27

Наименование единицы оборудования:
Сканирующий зондовый микроскоп

Марка: Solver Next

Фирма-изготовитель: НТ-МДТ

Год выпуска: 2011

Назначение, технические характеристики:
Полностью автоматизированный АСМ/СТМ для научных исследований: АСМ (контактная, амплитудно-модуляционная), СТМ (микроскопия, спектроскопия, литография).

Сведения о метрологическом обеспечении:
Свидетельство NEXT TITANIUM

28

Наименование единицы оборудования:
Растровый электронный микроскоп с приставкой прецизионного ионного травления

Марка: LYRA3 SEM-FIB

Фирма-изготовитель: TESCAN

Год выпуска: 2014

Назначение, технические характеристики:
Сканирующий электронный микроскоп с интегрированной ионной колонной (SEM-FIB) представляет собой высококачественную систему для визуализации и анализа поверхности образцов с возможностью обработки и модификации поверхности образца с фокусированным ионным пучком галлия. Разрешение: 1,2 нм при 30 кВ; 2,5 нм при 3 кВ. Увеличение: 1–1000000х при 30 кВ.

Сведения о метрологическом обеспечении:
Свидетельство SEM-FIB

29

Наименование единицы оборудования:
Установка лазерной абляции PLD-2000 MBE

Марка: PLD-2000 MBE

Фирма-изготовитель, страна: PVD Products (США)

Год выпуска: 2009

Назначение, технические характеристики:
Диаметр подложки: 50 мм. Температура подложки: 950°С (в атмосфере кислорода) – для непрозрачных материалов; 850°С – для прозрачных материалов. Равномерность прогрева: ±6°С по всей площади подложки. Рабочий диапазон давлений: 5•10-8...0,5 Торр. Количество мишеней: 6 мишеней Ø 50 мм. Лазер: СОМРех Pro 110 Excimer Laser, 248 нм. Номинальный угол падения луча на мишень: 60°.

Сведения о метрологическом обеспечении:
Технологическое оборудование. Не является средством измерения.

 

© 2018 Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»